燕少安导师主页
基本信息
姓名: 燕少安
职称: 讲师
单位电话:
电子信箱: yanshaoan@xtu.edu.cn
办公室: 机械楼副楼204
个人主页:
个人简介

燕少安,男,1989年12月出生于陕西西安,工学博士、中共党员,湘潭大学机械工程学院讲师。

学习工作经历

2016/08 – 今,湘潭大学,机械工程学院,讲师


研究方向

1、等离子体辅助微纳加工工艺;

2、二维材料半导体存储器;

3、新型半导体存储器多场耦合调控与失效机制。


科研项目

主持:

1、国家自然科学基金青年项目,61804130,2019/01-2021/12,25万元,在研;

2、湖南省自然科学基金青年项目,2018JJ3513,2018/01-2020/12,5万元,在研;

3、湘潭大学博士科研启动基金项目,2017/01 - 2020/01,5万元,在研。

参与:

1、国家自然科学基金面上项目,51775471,基于微纳结构设计与探针技术类石墨烯二维材料储能机理研究,2018/01-2021/12,60万元,在研;

2、湖南省重点研发计划,2015GK2003,高性能压力传感器的研制及产业化,2015/01-2017/12,200万元,已结题;

3、科技部973计划前期研究专项,2012CB326404,FeCMOS基本门电路的辐照效应及机理研究,2012/08-2014/08,60万元,已结题。


代表性学术成果

[1] X. Y. Yan, J. F. Peng, S. A. Yan, X. J. Zheng, Electromechanical characterization of single GaN nanobelt probed with conductive atomic force microscope, Journal of Electronic Materials, 2018.03.23, https://doi.org/10.1007/s11664-018-6261-2, 1-7.

[2] S. A. Yan, G. Li. H. X. Guo, W. Zhao, Y. Xiong, M. H. Tang , Z. Li, Y. G. Xiao, W. L. Zhang, Z. F. Lei, Modeling and simulation of ionizing radiation effect on ferroelectric field-effect transistor,  Japanese Journal of Applied Physics,  2016.03.01, 55: 048001.

[3] S. A. Yan, W. Zhao, H. X. Guo, Y. Xiong, M. H. Tang , Z. Li, Y. G. Xiao, W. L. Zhang, H. Ding, J. W. Chen, Y. C. Zhou, Impact of total ionizing dose irradiation on Pt/SrBi2Ta2O9/HfTaO/Si memory capacitor, Applied Physics Letters, 2016.01.05, 106: 012901.

[4] S. A. Yan, G. Li, W. Zhao, H. X. Guo, Y. Xiong, M. H. Tang, Z. Li, Y. G. Xiao, W. L. Zhang, Z. F. Lei, Y. C. Zhou, Ionizing radiation effect on metal-ferroelectric-insulator-semiconductor memory capacitors, Semiconductor Science and Technology, 2015.07.28, 30: 085020.

[5] S. A. Yan, Y. Xiong, M. H. Tang, Z. Li, Y. G. Xiao, W. L. Zhang, W. Zhao, H. X. Guo, H. Ding, J. W. Chen, Y. C. Zhou, Impact of total ionizing dose irradiation on electrical property of ferroelectric-gate field-effect transistor, Journal of Applied Physics, 2014.05.23, 115: 204504.

[6] S. A. Yan, M. H. Tang, W. Zhao, H. X. Guo, W. L. Zhang, X. Y. Xu, X. D. Wang, H. Ding, J. W Chen, Z. Li, Y. C Zhou, Single event effect in a ferroelectric-gate field-effect transistor under heavy-ion irradiation, Chinese Physics B, 2014.02.10, 23 (4): 046104.